produktegenskaper
TYPE
BESKRIVE
kategori
Diskrete halvlederprodukter
Transistor – FET, MOSFET – Enkel
produsent
Infineon teknologier
serie
CoolGaN™
Pakke
Tape and Reel (TR)
Skjærbånd (CT)
Digi-Reel® Custom Reel
Produktstatus
avviklet
FET type
N kanal
teknologi
GaNFET (galliumnitrid)
Drain-Source Voltage (Vdss)
600V
Strøm ved 25°C – Kontinuerlig drenering (Id)
31A (Tc)
Drivspenning (maks. Rds på, min. Rds på)
-
På-motstand (maks) ved forskjellig Id, Vgs
-
Vgs(th) (maksimum) ved ulike Id
1,6V @ 2,6mA
Vgs (maks)
-10V
Inngangskapasitans (Ciss) ved forskjellige Vds (maks.)
380pF ved 400V
FET funksjon
-
Effekttap (maks.)
125 W (Tc)
Driftstemperatur
-55 °C ~ 150 °C (TJ)
installasjonstype
Type overflatemontering
Leverandørenhetspakning
PG-DSO-20-87
Pakke/vedlegg
20-PowerSOIC (0,433″, 11,00 mm bred)
Grunnproduktnummer
IGOT60
Media og nedlastinger
RESSURSTYPE
LINK
Spesifikasjoner
IGOT60R070D1
GaN utvalgsveiledning
CoolGaN™ 600 V e-mode GaN HEMTs Kort
Andre relaterte dokumenter
GaN i adaptere/ladere
GaN i server og telekom
Realitet og kvalifisering av CoolGaN
Hvorfor CoolGaN
GaN i trådløs lading
videofil
CoolGaN™ 600V e-modus HEMT halvbro evalueringsplattform med GaN EiceDRIVER™
CoolGaN™ – det nye kraftparadigmet
2500 W fullbro-totempæl PFC-evalueringskort med CoolGaN™ 600 V
HTML-spesifikasjoner
CoolGaN™ 600 V e-mode GaN HEMTs Kort
IGOT60R070D1
Miljø og eksportklassifisering
EGENSKAPER
BESKRIVE
RoHS-status
Samsvar med ROHS3-spesifikasjonen
Moisture Sensitivity Level (MSL)
3 (168 timer)
REACH-status
Ikke-REACH-produkter
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
